一、核心检测对象

光刻胶中间体（甲基丙烯酸甲酯、乙二醇单乙醚醋酸酯）、蚀刻液中间体（氢氟酸、硝酸）、电镀中间体（硫酸铜、硫酸镍）

二、关键检测项目

1. 高纯物质检测

• 纯度分析：GC-FID 测定有机中间体纯度≥99.9%，杂质峰面积≤0.1%（SEMI C87 要求）

• 水分含量：卡尔费休容量法测定水分≤50ppm，库仑法检测限达 1ppm

1. 痕量杂质检测

• 金属离子：ICP-MS 测定钠、镁、铁等 12 种金属离子，限量≤1ppb，采用 0.22μm 滤膜前处理

• 颗粒污染：激光颗粒计数器检测≥0.5μm 颗粒数≤100 个 /mL（ISO 14644-1 Class 8 洁净室环境）

1. 功能性检测

• 蚀刻速率：标准硅片蚀刻试验测定蚀刻速率（误差≤3%），评估蚀刻液中间体活性

• 光引发效率：紫外固化试验测定光刻胶中间体固化速度（80mJ/cm² 能量下固化时间≤10s）

三、检测标准依据

• 行业标准：SEMI C87《半导体用高纯试剂规范》、GB/T 37191《电子级化学品水分测定方法》

• 方法标准：ASTM D4959《卡尔费休法测定有机液体水分》、GB/T 24575《电子级水中痕量金属离子测定》

四、百检检测优势

• 超净环境：配备万级洁净实验室，避免检测过程污染，确保痕量金属离子检测准确性

• 高端设备：安捷伦 7900 ICP-MS 检测限达 0.01ppb，满足 12 英寸晶圆制造用中间体检测需求

• 定制服务：可根据客户工艺要求，提供蚀刻选择性、光刻分辨率等特色功能性检测